MOS管知識(shí)-MOS管開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗分析

MOS管知識(shí)-MOS管開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗分析

人們對(duì)開(kāi)關(guān)電源的要求越來(lái)越高，要求開(kāi)關(guān)電源的體積越來(lái)越小，這也意味著開(kāi)關(guān)頻率越來(lái)越高。隨著開(kāi)關(guān)頻率的提高，降低變換器的開(kāi)關(guān)損耗也變得極其重要。開(kāi)關(guān)頻率越高，每秒鐘開(kāi)關(guān)管改變狀態(tài)的次數(shù)就越多，開(kāi)關(guān)損耗也就越大。這次就來(lái)弄清楚在每次開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換過(guò)程中所發(fā)生事件的基本時(shí)序。

一、開(kāi)關(guān)損耗

(一)阻性負(fù)載時(shí)的開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換過(guò)程：

圖中作為理想的N溝道MOS討論：其特性如下：

1、當(dāng)Vgs=0時(shí)MOS管完全關(guān)斷；當(dāng)Vgs高于參考地時(shí)，開(kāi)始導(dǎo)通。

2、漏極電流與柵極電壓之比定義為MOS的跨導(dǎo)g，以歐姆（ohm）為單位，即是歐姆的反寫。

3、圖中假定MOS的跨導(dǎo)g為常數(shù)，等于1;

為了便于描述，賦予輸入電壓Vin=10V,外部電阻R=1ohm,柵極電壓隨時(shí)間線性增加時(shí)，即t=1s,2s,3s時(shí)，Vgs=1V,2V,3V。

分析過(guò)程如下：

(1).當(dāng)t=0s時(shí)，Vgs=0V,MOS管關(guān)閉，Id=0A,MOS管漏極電壓Vd=10V;

(2).當(dāng)t=1s時(shí)，Vgs=1V,由跨導(dǎo)方程可得Id=1A,則在1ohm電阻上的壓降為1V，MOS管漏極電壓Vd=10V-1V=9V；

(3).當(dāng)t=2s時(shí),Vgs=2V, 由跨導(dǎo)方程可得Id=2A,則在1ohm電阻上的壓降為2V，MOS管漏極電壓Vd=10V-2V=8V；

柵極電壓隨時(shí)間線性增加到10s時(shí)，Vgs=10V,Id=10A,MOS管完全導(dǎo)通即Vd=0V.

則MOS管從關(guān)閉到導(dǎo)通的交叉時(shí)間tcross=10s,同時(shí)，漏極電流和漏極電壓他們是隨時(shí)間一直在線性變化的。

在轉(zhuǎn)換過(guò)程中，MOS管的損耗，可通過(guò)計(jì)算t=1,2,3,4…秒時(shí)的瞬時(shí)交叉乘積Vds(t)*Id(t).如果將這些點(diǎn)連成線，可以得到以下所示的鐘型曲線。因此，求解交叉損耗就是計(jì)算該曲線下方的凈面積。需要用到積分的方式去計(jì)算，通過(guò)求解交叉乘積對(duì)時(shí)間的積分，則阻性負(fù)載開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通轉(zhuǎn)換過(guò)程中損耗為：E=1/6*Vin*Idmax*tcross（J）。

那么MOS管關(guān)斷轉(zhuǎn)換過(guò)程中所產(chǎn)生的損耗與導(dǎo)通轉(zhuǎn)換過(guò)程中產(chǎn)生的損耗是一樣的，盡管關(guān)斷轉(zhuǎn)換中電壓是上升，電流下降。所以每個(gè)周期都有導(dǎo)通和關(guān)斷的轉(zhuǎn)換過(guò)程。

當(dāng)以fswHz的頻率重復(fù)開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)過(guò)程，則單位時(shí)間內(nèi)以熱形式損耗的總損耗。等于：Psw=1/3*Vin*Idmax*tcross*fsw (W)

（二）感性負(fù)載時(shí)的開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換過(guò)程

當(dāng)切換到感性負(fù)載時(shí)，需要考慮到電感的特性。當(dāng)電流變化時(shí)，電壓保持不變；而當(dāng)電壓變化時(shí)，電流保持不變。所以計(jì)算下圖感性負(fù)載時(shí)的交叉損耗可以有更簡(jiǎn)單的辦法。因?yàn)楫?dāng)一個(gè)參數(shù)(V 或者I)變化，另外一個(gè)參數(shù)不變，則可用平均電流Idmax/2和平均電壓Vin/2計(jì)算平均乘積。則可得出導(dǎo)通轉(zhuǎn)換時(shí)的開(kāi)關(guān)損耗為：

E=(Vin/2*Idmax*tcross/2)+(Vin*Idmax/2*tcross/2)=1/2*Vin*Idmax*tcross

所以，以fswHz的頻率重復(fù)開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)過(guò)程（導(dǎo)通和關(guān)斷行為）所產(chǎn)生的總損耗為：

Psw= Vin*Idmax*tcross*fsw (W)

二、導(dǎo)通損耗

開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)，開(kāi)關(guān)管壓降在許多情況是遠(yuǎn)大于零的。導(dǎo)通時(shí)有顯著的V*I損耗，這種特殊的損耗就是導(dǎo)通損耗Pcond.它與交叉損耗相當(dāng)，甚至更大。

與交叉損耗不同，導(dǎo)通損耗與頻率無(wú)關(guān)。它取決于占空比，而不是頻率。例如，假設(shè)占空比為0.6，那么在1s的測(cè)量時(shí)間間隔內(nèi)，開(kāi)關(guān)管處于導(dǎo)通狀態(tài)的凈時(shí)間為0.6s。因此，在這種情況下，導(dǎo)通損耗等于a*0.6,a是任意的比例常數(shù)。若是把頻率加倍，則1s內(nèi)導(dǎo)通狀態(tài)的凈時(shí)間認(rèn)為0.6s，則導(dǎo)通損耗仍然為a*0.6。但若是把占空比由0.6變?yōu)?.4，則導(dǎo)通損耗減少至a*0.4.所以，導(dǎo)通損耗是取決于占空比，而非頻率。

所以，MOS管導(dǎo)通損耗的簡(jiǎn)單方程如下：Pcond=Irms^2*Rds (W)  Rds是MOS導(dǎo)通內(nèi)阻。

所以，減少導(dǎo)通損耗最明顯的方法是降低二極管和開(kāi)關(guān)管的正向壓降。要使用低正向壓降的二極管，如肖特基二極管。同理，要使用低導(dǎo)通阻抗Rds的MOS管。但必須折中考慮。減少M(fèi)OS管的Rds時(shí)，其開(kāi)關(guān)速度也會(huì)受到負(fù)面影響。

減少M(fèi)OS管損耗的方法

減小開(kāi)關(guān)損耗一方面要盡可能地制造出具有理想開(kāi)關(guān)特性的器件,另一方面利用新的線路技術(shù)改變器件開(kāi)關(guān)時(shí)期的波形,如:晶體管緩沖電路,諧振電路,和軟開(kāi)關(guān)技術(shù)等。

1)晶體管緩沖電路(即加吸收網(wǎng)絡(luò)技術(shù))

早期電源多采用此線路技術(shù)。采用此電路, 功率損耗雖有所減小,但仍不是很理想。

①減少導(dǎo)通損耗在變壓器次級(jí)線圈后面加飽和電感, 加反向恢復(fù)時(shí)間快的二極管,利用飽和電感阻礙電流變化的特性, 限制電流上升的速率,使電流與電壓的波形盡可能小地重疊。

②減少截止損耗加R 、C 吸收網(wǎng)絡(luò), 推遲變壓器反激電壓發(fā)生時(shí)間, 最好在電流為0時(shí)產(chǎn)生反激電壓,此時(shí)功率損耗為0。該電路利用電容上電壓不能突變的特性,推遲反激電壓發(fā)生時(shí)間。

為了增加可靠性,也可在功率管上加R 、C 。但是此電路有明顯缺點(diǎn):因?yàn)殡娮璧拇嬖?導(dǎo)致吸收網(wǎng)絡(luò)有損耗 。

(2)諧振電路

該電路只改變開(kāi)關(guān)瞬間電流波形,不改變導(dǎo)通時(shí)電流波形。只要選擇好合適的L 、C ,結(jié)合二極管結(jié)電容和變壓器漏感, 就能保證電壓為0時(shí),開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通或截止。因此, 采用諧振技術(shù)可使開(kāi)關(guān)損耗很小。所以, SWITCHTEC 電源開(kāi)關(guān)頻率可以做到術(shù)結(jié)構(gòu)380kHz的高頻率。

(3)軟開(kāi)關(guān)技術(shù)

該電路是在全橋逆變電路中加入電容和二極管。二極管在開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)起鉗位作用, 并構(gòu)成瀉放回路, 瀉放電流。電容在反激電壓作用下, 電容被充電, 電壓不能突然增加, 當(dāng)電壓比較大的時(shí)侯, 電流已經(jīng)為0。