三星再添平澤廠生力軍 NAND Flash目標(biāo)市占率40%
三星電子(Samsung Electronics)平澤半導(dǎo)體廠日前舉行量產(chǎn)出貨儀式，正式宣告投入三星NAND Flash量產(chǎn)行列。三星為全球NAND Flash龍頭，市占率為37%。南韓業(yè)界預(yù)估平澤廠加入生產(chǎn)后，三星NAND Flash全球市占率突破40%大關(guān)只是時(shí)間早晚問題。
據(jù)韓媒the bell報(bào)導(dǎo)，三星以全球45%的DRAM市占率排名第一，雖然NAND Flash市占率也是第一，但市占率遲遲無法與競爭對手拉大差距，因此三星有意透過擴(kuò)產(chǎn)投資，拉大差距守穩(wěn)第一。
三星相關(guān)人士表示，正式投產(chǎn)出貨的平澤半導(dǎo)體廠，將以量產(chǎn)堆棧64層3D NAND Flash為主。一般而言，3D NAND Flash堆棧層數(shù)愈高，代表產(chǎn)能與獲利提升。
三星競爭對手東芝(Toshiba)等，已量產(chǎn)堆棧48層3D NAND Flash。相較堆棧48層3D NAND Flash，三星64層3D NAND Flash讀寫速度快50%，耗電效率提升30%。然隨著3D NAND Flash堆棧層數(shù)變多可能造成結(jié)構(gòu)不穩(wěn)，因此業(yè)界多認(rèn)為，3D NAND Flash堆棧層數(shù)有一定的物理極限。
業(yè)界人士觀察，繼DRAM獨(dú)霸天下，牢牢站穩(wěn)市場領(lǐng)導(dǎo)地位后，三星有意憑借技術(shù)與產(chǎn)能優(yōu)勢，守穩(wěn)NAND Flash第一王座，因此大手筆投資平澤廠15.6兆韓元(約137億美元)。
三星平澤一樓廠區(qū)，每月晶圓投片量約10萬片，三星計(jì)劃再投資14.4兆韓元，擴(kuò)充二樓廠區(qū)產(chǎn)能。因此，三星NAND Flash產(chǎn)能將從過去45萬片，一路向上提升至65萬片。另外三星可能于2017年底前，宣布堆棧96層3D NAND Flash量產(chǎn)。
由于IT裝置不斷朝輕薄短小發(fā)展，內(nèi)存儲(chǔ)存單元(cell)垂直堆棧，可望省下不少平面空間容納其他零組件，使裝置具有更多樣化功能，因此3D NAND Flash市場需求看俏。南韓業(yè)界認(rèn)為，由于NAND Flash市場需求旺盛，就算三星平澤廠加入生產(chǎn)行列，可能也無法完全滿足市場需求。
IHS Markit指出，2017年NAND Flash全球市場規(guī)模約506億美元，相較2016年成長38%。2016年三星NAND Flash營收約15.8兆韓元，預(yù)估2017年?duì)I收上看24.4兆韓元，年成長率達(dá)54%。
三星已是全球NAND Flash龍頭，如今再添平澤廠生力軍，預(yù)料將能順利拉大與競爭對手差距，朝向全球NAND Flash市占率40%目標(biāo)邁進(jìn)。如以2017年第1季為例，三星NAND Flash市占率37%，緊接在后的東芝為17%。
事實(shí)上，三星潛在隱憂也包括半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速崛起。例如，清華紫光正大舉投資半導(dǎo)體，計(jì)劃于武漢、成都、南京等地設(shè)立半導(dǎo)體廠，武漢內(nèi)存廠預(yù)計(jì)2018年開始量產(chǎn)3D NAND Flash。
三星加速展開NAND Flash投資，其實(shí)也是為了與國內(nèi)業(yè)者保持一定程度領(lǐng)先差距，維持市場主導(dǎo)地位。南韓業(yè)界人士表示，平澤廠投入運(yùn)轉(zhuǎn)后，三星NAND Flash市占率突破40%只是時(shí)間早晚問題，加上透過技術(shù)不斷提升，2017年三星半導(dǎo)體事業(yè)營業(yè)利益上看30兆韓元。
編輯：admin 最后修改時(shí)間：2018-01-05
