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半導(dǎo)體業(yè)者大布局 2020年大陸Flash月產(chǎn)能激增

作者:admin 來源:不詳 發(fā)布時間:2017-12-13  瀏覽:12

中國大陸業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展,成為大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。有調(diào)研機(jī)構(gòu)報告顯示,隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴(kuò)廠,及國際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能,預(yù)估2020年中國國內(nèi)Flash月產(chǎn)能達(dá)59萬片,相較于2015年成長近7倍。


TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所預(yù)估,2012至2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位成長率達(dá)47%,其終端消費(fèi)端需求年平均位成長率亦高達(dá)46%,顯示NAND Flash仍為高速發(fā)展產(chǎn)業(yè)。拓墣研究經(jīng)理林建宏表示,大陸在突破內(nèi)存自制缺口的政策方針下發(fā)展Flash晶圓制造,可由NAND Flash產(chǎn)品特性、3D NAND需求、新興市場的成長空間,及國際半導(dǎo)體大廠在中國大陸投資四大方向切入。


NAND Flash產(chǎn)品特性部分(資金成本):產(chǎn)品在消費(fèi)性應(yīng)用下,價格是主要考慮,因此生產(chǎn)成本的控制至為關(guān)鍵。大陸廠商宜透過折舊認(rèn)列年限調(diào)整、租賃、稅負(fù)與資金成本等因素操作為切入點(diǎn)。


3D NAND需求(制程微縮):Flash在進(jìn)入2x奈米后,制程微縮帶來的成本優(yōu)勢越來越不明顯,推遲國際Flash大廠技術(shù)進(jìn)程,因此3D-NAND Flash成為成本繼續(xù)降低的重要方法。林建宏指出,產(chǎn)品由2D走到3D,需有新的技術(shù)領(lǐng)域加入,若能整合跨領(lǐng)域人才和技術(shù),能成為中國廠商追趕的機(jī)會。


新興市場成長空間:雖然Flash產(chǎn)業(yè)短期仍處于供過于求,但長期而言新興市場仍有成長空間。大陸隨一帶一路政策發(fā)展的策略,對開發(fā)其周遭新興市場需求有相當(dāng)幫助,妥善安排資源與發(fā)揮對新興國家的影響力,將是大陸?yīng)氂械膬?yōu)勢所在。


半導(dǎo)體大廠在中國大陸投資(人力與市場):國際半導(dǎo)體廠商積極投入大陸,在當(dāng)?shù)嘏囵B(yǎng)有經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)的人才,支持廠房運(yùn)維的高度需求,有助降低大陸發(fā)展自主Flash制造的門坎。大陸透過廣大的人力和市場成功吸引國際廠商的進(jìn)駐,為大陸發(fā)展Flash產(chǎn)業(yè)帶來最好機(jī)會。

編輯:admin  最后修改時間:2017-12-13

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