EEPROM的幾種保護(hù)方法
串行EEPROM 應(yīng)該是一種很可靠的設(shè)備，但在我的使用中，經(jīng)常會出現(xiàn)數(shù)據(jù)出錯的情況，毛主席老人家說：知己知比，方能百戰(zhàn)不敗!是什么原因呢?其實這種情況多發(fā)生在插拔電的情況下。讓我們來瞧瞧：
1. EEPROM 讀寫的時序可能有小小的不對
2. 是在掉電時，在電壓降低到一定程度后到完全沒電之間的一段時間內(nèi)，在MCU與EEPROM 的讀寫信號線上出現(xiàn)非控制的快速隨機電平，這些電平可能會組合出一些被EEPROM 認(rèn)為合法的寫命令，結(jié)果將EEPROM 中的值修改掉了;
3. 在上電的復(fù)位期間，I/O 腳上電平未定，也可能隨機組合出一些寫命令;
4. 在讀EEPROM 操作過程中，出現(xiàn)了復(fù)位(如充電復(fù)位)等，形成類似于(二)的情況;
5. 在電壓降低后，可能會出現(xiàn)MCU 跑飛了，結(jié)果運行到了寫EEPROM 的底層驅(qū)動程序中，強來將數(shù)據(jù)寫入了進(jìn)去!嘿嘿!讓我們嘗嘗強扭的瓜不甜!
對待敵人可不能手軟，怎樣扼殺他們在萌芽狀態(tài)!看我的絕招：
1. 擺闊氣：按Datasheet 上的時序，發(fā)現(xiàn)多數(shù)時候讀寫正確，但有時偶爾不對，這時可以降低讀寫的速度，多幾個NOP，不要太小氣嗎?咱們度量(ROM)還是能容的下的!
2. 避風(fēng)頭：為防止讀EEPROM 的過程中出現(xiàn)復(fù)位，我們可以在MCU 復(fù)位后200ms 內(nèi)禁止讀寫EEPROM，因充電引起的復(fù)位抖動，一般在數(shù)十毫秒內(nèi)，過了這段時間，再出現(xiàn)復(fù)位的可能性不大，
3. 查證件：在寫EEPROM 的底層驅(qū)動程序中，在執(zhí)行寫動作時，判斷一下某些標(biāo)志，有良名證的才能通過，否則，只好打回原籍(跳到復(fù)位地址)
4. 多買保險(3份最佳)以自救：對于重要的數(shù)據(jù)(如通信密碼、參數(shù)設(shè)置等，這些部分信息量不大，我們要采用三次備份的手段。這些信息存放在三個不同的PAGE 內(nèi)，最好PAGE 內(nèi)的地址也不一樣。在我們寫這些數(shù)據(jù)時，要針對不同的地址寫三次，而讀時，對于三處讀來的數(shù)據(jù)，如果全相同，沒什么可說的了，如果有兩個相同，一個不同，則使用大數(shù)判決，使用相同的那個值，并將這個數(shù)值寫到不同的那個地址去。當(dāng)然，如果三個值全不同，只好隨便取一個(如第一個)，再將其寫入另兩個地址中去。這種方法非常有效，因為一般誤擦除不會是全部數(shù)據(jù)，而只是某一處而已，我們可以允許EEPROM 某單元被誤擦除，只要讀了一次，就恢復(fù)了。
擴展閱讀：單片機調(diào)EEPROM存儲器24C256
編輯：admin 最后修改時間：2018-05-21
